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  • 【干貨】鑄造多晶硅錠常見(jiàn)異常問(wèn)題淺析

    2018-04-19 15:05:32 大云網(wǎng)  點(diǎn)擊量: 評(píng)論 (0)
    一般溢流發(fā)生在熔化階段及長(zhǎng)晶階段,特別是在熔化后期及長(zhǎng)晶初期發(fā)生的溢流最為常見(jiàn)。溢流以后不但意味著該爐次沒(méi)有硅錠產(chǎn)出,而且輕則損失幾公斤硅料,重則造成熱場(chǎng)部件的重大損失甚至安全事

    4、硅錠裂紋

    生產(chǎn)上,常常有些硅錠出爐以后,外觀上看雖然沒(méi)有異常,但經(jīng)過(guò)紅外探傷檢測(cè),可能會(huì)發(fā)現(xiàn)一些裂紋,輕微些的幾個(gè)厘米長(zhǎng)度,偶爾出現(xiàn)在其中一個(gè)小方錠中,重則是貫穿性裂紋,一半以上的小方錠出現(xiàn)報(bào)廢,嚴(yán)重影響鑄錠收率。產(chǎn)生隱裂可能是以下幾個(gè)方面的原因。

    1)鑄錠過(guò)程中異物掉入。熱場(chǎng)材料長(zhǎng)時(shí)間使用會(huì)產(chǎn)生老化,螺栓螺母等一些石墨或C/C復(fù)合材料容易脫落掉入坩堝內(nèi),另外,測(cè)量長(zhǎng)晶用的石英棒有可能被粘在硅錠內(nèi)部。因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)不同,掉入異物的硅錠,會(huì)在后續(xù)降溫冷卻過(guò)程中發(fā)生開(kāi)裂。生產(chǎn)過(guò)程中為趕產(chǎn)量,常常采用每生產(chǎn)幾爐,才入爐檢查一次的方式。上一個(gè)硅錠剛出爐,爐溫還有幾百攝氏度,下一爐硅料就投了進(jìn)去。每爐鑄錠完成后進(jìn)入熱場(chǎng)內(nèi)部檢查,能夠大大避免該現(xiàn)象的發(fā)生。

    2)出爐溫度過(guò)高。一般硅錠鑄造完成以后,爐溫降低到400℃以下,方可以開(kāi)爐取錠,如果取錠過(guò)早,爐溫過(guò)高,硅錠出爐后因?yàn)榕c環(huán)境溫差較大,特別是在寒冬季節(jié),硅錠內(nèi)部熱應(yīng)力來(lái)不及釋放,導(dǎo)致硅錠產(chǎn)生隱裂。

    3)工藝設(shè)置不合理。定向生長(zhǎng)完成后,因?yàn)楣桢V底部與頂部溫差較大,需要關(guān)閉鋼籠,爐溫保持1300℃左右進(jìn)行退火,如果退火時(shí)間過(guò)短,硅錠內(nèi)部存在較大熱應(yīng)力得不到有效釋放,后續(xù)冷卻過(guò)程中可能產(chǎn)生內(nèi)部裂紋。另外,對(duì)于較大投料量的硅錠來(lái)講,過(guò)快的冷卻工藝設(shè)置也容易導(dǎo)致隱裂的產(chǎn)生。

    4)高溫硅錠與金屬接觸。硅錠出爐以后,其表面溫度還有幾百攝氏度,一般等溫度冷卻到100℃左右開(kāi)始拆除坩堝,使硅錠脫模,然后將硅錠轉(zhuǎn)移到下一個(gè)噴砂工序。在這一過(guò)程中,避免不了用到工裝夾具與硅錠接觸,如果此時(shí)硅錠溫度仍較高,熱傳導(dǎo)率較高的金屬與硅錠接觸,也可能會(huì)誘發(fā)硅錠隱裂。因此,硅錠出爐以后盡量避免“高溫作業(yè)”,特別是在寒冬季節(jié),能夠有效減少硅錠隱裂的產(chǎn)生,對(duì)于后續(xù)切片硅片碎片率的降低也是有益的。

    5)粘堝隱裂。粘堝是導(dǎo)致硅錠裂紋最多、最常見(jiàn)的原因,即使有些硅錠雖然出現(xiàn)很輕微的粘堝,外觀上表現(xiàn)為有幾個(gè)厘米甚至更小的坩堝片粘連在硅錠上,但硅錠仍然出現(xiàn)裂紋,特別是粘堝位置出現(xiàn)在硅錠底部及側(cè)下部時(shí),出現(xiàn)概率最大。另外,生長(zhǎng)大晶粒硅錠(類單晶硅錠)時(shí),粘堝所致裂錠的問(wèn)題更加容易發(fā)生,而且硅錠常常是貫穿性開(kāi)裂。

    圖3、裂錠的貫穿性裂紋

    5、紅外探傷出現(xiàn)陰影以及硬質(zhì)夾雜等

    硅錠開(kāi)方成小硅塊以后,要經(jīng)紅外探傷儀檢測(cè)硅錠的缺陷情況。紅外探傷的原理是,經(jīng)特定光源發(fā)出的紅外光線能夠穿透200mm深度的硅塊,然后被紅外探測(cè)器捕捉成像。純多晶硅晶體幾乎不吸收這個(gè)波段的波長(zhǎng),但是,如果硅塊里面有微晶、雜質(zhì)團(tuán)、硬質(zhì)夾雜、隱裂等缺陷,這些缺陷將吸收紅外光,并將在成像系統(tǒng)中呈現(xiàn)暗區(qū),其中一些呈現(xiàn)條帶狀、團(tuán)狀或彌撒的點(diǎn)狀的暗區(qū)通常被稱作陰影。陰影的形成大概有以下幾個(gè)方面的因素導(dǎo)致。

    1)長(zhǎng)晶速度過(guò)快產(chǎn)生微晶陰影。定向凝固開(kāi)始以后,如果溫度過(guò)低或者縱向溫度梯度過(guò)大形成大量形核中心,硅錠迅速生長(zhǎng),進(jìn)而產(chǎn)生微晶,紅外成像上表現(xiàn)為大面積條帶狀陰影。生產(chǎn)上最普遍的陰影往往出現(xiàn)在靠硅錠中央的硅塊中,縱向位置在硅方的中下部最常見(jiàn),正是因?yàn)樵撐恢檬瞧骄L(zhǎng)晶速度最快的地方。

    根據(jù)我們的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),典型的長(zhǎng)晶速度趨勢(shì)是,開(kāi)始一兩個(gè)時(shí),鋼籠剛剛打開(kāi),長(zhǎng)晶速度往往在1cm/h以下,隨后的幾個(gè)小時(shí)最快,達(dá)到1.7 cm/h-1.9 cm/h,甚至超過(guò)2cm/h,到長(zhǎng)晶中期以后逐漸平穩(wěn)到1.1 cm/h-1.5 cm/h。整個(gè)長(zhǎng)晶過(guò)程平均速度在1.2cm/h-1.3 cm/h左右。如果長(zhǎng)時(shí)間生長(zhǎng)速度超過(guò)2 cm/h,很容易在該區(qū)域形成微晶陰影。在長(zhǎng)晶的前期,固液界面往往會(huì)有一個(gè)由微凹到微凸的轉(zhuǎn)變過(guò)程,在這一過(guò)程中,長(zhǎng)晶速度一般較快的階段,比較容易產(chǎn)生陰影,特別是雜質(zhì)含量較高的情況下,雜質(zhì)未有效分凝產(chǎn)生眾多形核中心,從而形成微晶。因此,設(shè)置合理的配方工藝,控制合理的長(zhǎng)晶速度,對(duì)減少陰影的產(chǎn)生比例非常必要。

    2)硅熔體中雜質(zhì)過(guò)多,或不能充分排雜,產(chǎn)生雜質(zhì)型陰影及硬質(zhì)夾雜。如果原料中雜質(zhì)過(guò)多,例如,投料使用大量的頭尾邊皮等回收下角料等,鑄錠開(kāi)方以后,檢測(cè)發(fā)現(xiàn)陰影比例明顯增加,該類型陰影以團(tuán)簇狀最常見(jiàn)。另外,如果使用分辨率較高的紅外探傷儀器,還可以在小方錠中部檢測(cè)到一些彌散的點(diǎn)狀陰影,顏色較淡。一般直徑一個(gè)到幾個(gè)毫米大小。小方錠拋光以后,再進(jìn)行紅外探傷,這些點(diǎn)狀陰影更加清楚,還能夠另外發(fā)現(xiàn)一些幾百微米甚至更加細(xì)小的點(diǎn)狀陰影。

    圖4、陰影和硬質(zhì)夾雜物

    將這些團(tuán)簇狀陰影部分用強(qiáng)酸溶解后,很容易會(huì)得到一些不容物,這些不容物或是呈現(xiàn)黑色塊狀,或是桿狀黃色透明,兩者常常在共生存在,這些通常都被稱作硬質(zhì)夾雜(inclusions)。有研究表明這些黑色塊狀為夾雜相為β-SiC,黃色透明桿狀?yuàn)A雜相為β-Si3N4。

    團(tuán)簇狀陰影部分作為不合格品在后續(xù)加工中被切除,然而,那些點(diǎn)狀的顆粒較小的硬質(zhì)夾雜往往會(huì)檢測(cè)不到,或者被有意或無(wú)意忽略。硅的莫氏硬度為6.5,而β-SiC與β-Si3N4兩種夾雜相的莫氏硬度分別為9.2和9.0,明顯高于硅。這兩種夾雜相對(duì)后續(xù)切片造成嚴(yán)重危害,特別是SiC夾雜相,因?yàn)榍懈钍褂玫哪チ贤瑯訛镾iC。如果夾雜相粒度大于切割線直徑,很容易在切片過(guò)程中造成斷線,即使不斷線,也有可能在硅片上產(chǎn)生明顯線痕,嚴(yán)重影響優(yōu)級(jí)品產(chǎn)出。那些更為細(xì)小的硬質(zhì)夾雜相,即使切片過(guò)程表現(xiàn)正常,但硅片在制成電池以后會(huì)因這些硬質(zhì)夾雜產(chǎn)生嚴(yán)重漏電,降低光電轉(zhuǎn)化效率。

    硅錠中碳的主要來(lái)源是高溫過(guò)程中C或CO蒸汽與硅液反應(yīng)形成,而氮的來(lái)源主要是受坩堝內(nèi)壁氮化硅脫模劑或因脫落進(jìn)入硅液,或受硅液侵蝕溶解入硅溶液,然后在幾十個(gè)小時(shí)的高溫過(guò)程中發(fā)生相變和晶體生長(zhǎng)。在一些提純過(guò)的硅錠頂部硅料里,經(jīng)常容易發(fā)現(xiàn)很多肉眼可見(jiàn)的針狀或桿狀β-Si3N4。因此,控制碳和氮的來(lái)源,是有效減少陰影或硬質(zhì)夾雜的有效方法,例如,在坩堝頂部加復(fù)合材料蓋板,合理設(shè)計(jì)氣流通路,使CO蒸汽盡快排出,能夠減少與硅液的反應(yīng),有效抑制整個(gè)硅錠中的碳含量。在氮化硅漿料里面添加一定比例的硅溶膠高溫粘接劑,能夠增強(qiáng)氮化硅涂層的附著力,有效減少涂層脫落和進(jìn)入硅液的氮含量。

    另外,鑄錠完成以后,絕大多數(shù)硬質(zhì)夾雜相在硅錠頂部10mm范圍內(nèi)或者邊皮料里面,但是這部分硅料在切除以后經(jīng)過(guò)噴砂酸洗等工序處理以后,重新回收利用,如此不斷循環(huán),這些回收下角料里面的夾雜相不斷增多,導(dǎo)致化料以后硅液中夾雜物濃度升高,硅錠生長(zhǎng)過(guò)程中,一些夾雜不可避免因?qū)α骰虺两祦?lái)到硅錠中間,形成硬質(zhì)夾雜。因此,配料中當(dāng)適量控制邊皮等下角料的比例能夠有效減少硬質(zhì)夾雜的產(chǎn)生。

    6、結(jié)束語(yǔ)

    多晶硅錠鑄造是光伏太陽(yáng)能制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重要環(huán)節(jié),本文介紹了多晶硅錠生產(chǎn)過(guò)程中遇到的一些常見(jiàn)的異常或缺陷情況,分析這些異常產(chǎn)生的原因,提出了一些相關(guān)的預(yù)防及改善措施,對(duì)于實(shí)際生產(chǎn)具有一定的指導(dǎo)意義。

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    責(zé)任編輯:蔣桂云

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