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  • 如何使光伏組件效率超過電池的效率

    2018-05-30 15:03:12 大云網(wǎng)  點擊量: 評論 (0)
    近十年來,在業(yè)內(nèi)同行的努力下,晶體硅光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率一路上升,由本世紀最初幾年的15%到現(xiàn)在的接近20%,越來越接近單結(jié)晶體硅電池的理想計算效率。

    近十年來,在業(yè)內(nèi)同行的努力下,晶體硅光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率一路上升,由本世紀最初幾年的15%到現(xiàn)在的接近20%,越來越接近單結(jié)晶體硅電池的理想計算效率。但是在將光伏電池組裝成光伏組件時,由于光路的損耗、面積的損耗、以及串聯(lián)電阻的損耗,往往使光伏組件的轉(zhuǎn)換效率低于光伏電池的轉(zhuǎn)換效率。為了達到讓光伏組件的轉(zhuǎn)換效率接近甚至超過光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率,除了減少由于封裝引起的各種損耗外,還應(yīng)當(dāng)在封裝過程中設(shè)法增加電池接收到的有效光能。

    從背板材料上考慮,使組件背板不僅承擔(dān)對電池和環(huán)境的有效防護和隔離的功能,而且為增加電池有效接收光輻射做出貢獻,從而達到最終提高光伏組件可靠性、增加電功率輸出的目的。

    為了達到這個目的,首先分析一下光伏組件封裝的功率損失和可能的增益,示意如圖1:

    圖1 光伏組件封裝的能量損失和增益

    圖1中,假設(shè)光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率是20%,封裝成組件后,首先,由于組件面積大于電池總面積,損失了2個百分點的全面積效率;其次,由于玻璃的透光吸收損失了0.5個百分點;EVA膠膜透光吸收損失0.5個百分點;第三,互聯(lián)條/匯流引出條的電阻損失1個百分點。總共損失了約4個百分點。

    增益方面,第一,電池經(jīng)封裝后,由玻璃表面膜-玻璃-EVA-電池鈍化膜-硅形成一個變折射率的光學(xué)系統(tǒng),這樣一個系統(tǒng)可以減少電池表面的光反射,一般越是表面反射率高的電池,這個增益越顯著。目前常規(guī)工藝的晶體硅電池,這個增益可達到1.5個百分點;

    圖2 光伏組件的光路系統(tǒng)有助于降低總反射率

    第二,背板的反射率也有助于增加電池的光吸收,來不及吸收便透過電池的長波紅光和近紅外光經(jīng)背板反射會再次進入電池激發(fā)載流子。電池片間隙處的入射光也會再次經(jīng)反射進入電池,這一塊大約增加了1個百分點的效率。

    這樣算下來,20%的光伏電池到這兒為止,大概光伏組件的效率就剩17.5%了。要增加光伏組件的電能輸出,就應(yīng)該減少封裝損失,增加封裝增益。換句話說,只要我們把以上幾個環(huán)節(jié)做好,該減少的減少,能提升的提升,光伏組件的效率就能達到17.5%以上。

    但是,要想使光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率超過電池的轉(zhuǎn)換效率,光靠挖掘以上潛力還是不夠的,我們還要借助于光裁減技術(shù)。所謂光裁減技術(shù),就是通常所說的長波光的上轉(zhuǎn)換技術(shù)和短波光的下轉(zhuǎn)換技術(shù)。把個技術(shù)做好了,再把其他的技術(shù)做好了,則光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率就完全有可能超過光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率。分別討論如下。

    一、減少光伏組件的非活性面積

    光伏電池在組件中封裝時預(yù)留的間隙主要是考慮帶電元件與導(dǎo)體間的爬電距離要求和工藝實現(xiàn)的要求。工藝實現(xiàn)要求留出電池片互聯(lián)條上下穿過的間隙,不使電池片間直接短路,不使有一定截面積的互聯(lián)條在電池邊緣產(chǎn)生應(yīng)力集中現(xiàn)象。為了使互聯(lián)條不在電池的邊緣產(chǎn)生附加應(yīng)力,電池片間一般要留2-3mm的間隙;爬電距離則是電氣法規(guī)的要求留出的。

    現(xiàn)在大家都在做1500V系統(tǒng)電壓的光伏組件,而且經(jīng)過論證,說明1500V系統(tǒng)電壓的光伏電站,特別是大型荒漠電站,比1000V系統(tǒng)電壓的光伏電站要節(jié)省好多材料費用和安裝費用,提高變電系統(tǒng)的傳輸、轉(zhuǎn)換效率,經(jīng)濟效益還是比較明顯的。但是系統(tǒng)電壓的提高對光伏組件的爬電距離的要求也明顯提高了。

    1000V系統(tǒng)電壓的光伏組件,設(shè)計爬電距離是8.4mm乘一個安全系數(shù),一般要求是15mm-16mm。如果是1500V系統(tǒng)電壓的組件,這個距離就是25mm。這個距離的增大,必然減小光伏組件的非活性(也就是不發(fā)電的)面積,降低組件了的光電轉(zhuǎn)換效率。

    正在討論中的UL/TUV標(biāo)準(zhǔn)(圖3)中,給出了減小這一距離的必要條件,這就是組件的聚合物背板要具有更高級別的CTI測試值,獲得更高的IPT值。大家知道,一般的聚合物手冊中或聚合物薄膜供應(yīng)商給出的PE、PO、PVDF、PET等材料的CTI值不超過400V。明冠新材料科技有限公司因為是自己生產(chǎn)的背板內(nèi)層PO/PE膜,可以通過調(diào)整配方和工藝達到提高背板CTI值的目的,公司1500V系統(tǒng)電壓光伏組件背板,在行業(yè)內(nèi)率先通過了最高級別的600VCTI測試,為希望通過開發(fā)1500V系統(tǒng)電壓光伏組件,獲得1500V光伏系統(tǒng)高效、高可靠、低成本的優(yōu)點,又不想增加光伏組件尺寸、不希望降低光伏組件效率的的光伏組件生產(chǎn)商提供了一個選項(圖3)。

    圖3 討論中的UL/TUV的標(biāo)準(zhǔn)

    但是,如果我們進一步思考,這個討論中的標(biāo)準(zhǔn)也是存在明顯不足的。標(biāo)準(zhǔn)的出發(fā)點認為認為EVA不屬于絕緣材料,于是,這個間隙是按照空氣介質(zhì)計算出來的。這顯然不夠合理,再怎么說,我們也不能把EVA看成空氣啊!空氣的電離導(dǎo)電和EVA材料由于分解帶來的體電阻率降低漏電流增大的導(dǎo)電機理有著本質(zhì)的不同。假如真是空氣的話,實際上那就不是爬電距離的問題了,在濕絕緣測試中整個就是一個漏電的問題,無法通過濕絕緣漏電測試。因此這個規(guī)定不夠科學(xué),應(yīng)該改進。

    由于EVA材料的易水解性,不作為絕緣材料處理是可以的,但是也不宜當(dāng)成空氣處理,我們可以設(shè)計一個更科學(xué)的實驗方法。在這里我們可以借鑒IEC60664-4標(biāo)準(zhǔn)的做法,對光伏組件邊緣的EVA設(shè)計一個符合使用條件下可能預(yù)見的破壞機理的嚴酷實驗。在這個實驗條件下,只要EVA的絕緣破壞,實驗即不通過。

    減少組件非活性面積的另一個途徑是減小電池片間的間距,常規(guī)的電池組件很難做到這一點。因為要減小組件內(nèi)部的串聯(lián)電阻,必然會增加互聯(lián)條的截面積,為了減少互聯(lián)條的遮光面積就要減小互聯(lián)條的寬度,增加厚度,厚度增加必然使連接應(yīng)力增加,為了減小這個應(yīng)力,電池片間的距離就不能太小。

    然而對于全背電極電池(包括IBC電池、MWT電池)而言,由于其正、負電極全部由電池背面引出,配合具有預(yù)制電路圖形的背板,既有電池片相對準(zhǔn)確的定位,又省去了穿上穿下的互聯(lián)條,所以這個間隙可以做的很小。全背電極電池組件的封裝背板見圖4。這是我們?nèi)畴姌O電池(IBC、MWT)組件用背板的一個樣品局部。該背板具有串聯(lián)電阻低、背反射率高、透水、透氣率低等特點,幫助電池組件提高組裝效率。

    圖4 全背電極電池組件背板電路(局部)

    二、構(gòu)建一個好的光學(xué)系統(tǒng)

    太陽光譜曲線如圖5所示,在這里我們?yōu)榱嗣枋龊陀嬎惴奖闫鹨姡瑢⒊R姷奶柟獾哪芰孔V轉(zhuǎn)換為量子譜,這是因為在現(xiàn)有技術(shù)范圍內(nèi),通常一個能量高于半導(dǎo)體材料帶隙寬度的光量子,只能激發(fā)出一對電子-空穴對,我們且將這些光子稱為有效光子。在一個輻照平面內(nèi)太陽光所能產(chǎn)生的電流,與該輻照面內(nèi)陽光的有效光子的數(shù)量成正比。圖5中光譜曲線和橫軸所圍成的面積直接與該面積波長范圍內(nèi)的有效光量子數(shù)成正比。

    圖5 AM1.5太陽光量子譜圖

    圖6 有效吸收不同波長陽光所需的硅片厚度

    硅是間接帶隙半導(dǎo)體材料,有效光子激發(fā)硅中的電子躍遷至較高能級時除了有能量的變化外,而且有動量的改變,因此有效吸收入射光所需要的硅片厚度遠比直接帶隙的半導(dǎo)體材料所需的厚度大得多。假設(shè)太陽光垂直入射到硅片,則圖6表示的是入射光子被有效吸收與所需硅片厚度的關(guān)系。其中橫坐標(biāo)表示入射光的波長,縱坐標(biāo)代表有效吸收該波長的光子所需要的硅晶體的厚度。

    從圖中可見,當(dāng)入射光的波長的波長為1000nm時,需要190μm的有效硅片厚度,當(dāng)光子的波長為1100nm也就是硅的極限吸收波長時,所需硅片的厚度已經(jīng)達到4600μm。也就是說為了有效吸收1000nm~1100nm的近紅外光,需要的硅片厚度是4.6mm。

    這個厚度對于實際的電池來說這顯然是不現(xiàn)實的,一方面會消耗大量的硅材料,另一方面由于硅中載流子壽命(或擴散長度)的限制、硅材料體電阻的限制,用如此之厚的硅片做電池其效率的提高顯然是得不償失的。從圖5面積的估算,1000nm~1100nm波段的量子數(shù)占陽光中有效量子數(shù)的約14.5%,充分利用這個波段的光量子,在提高光伏電池、光伏組件轉(zhuǎn)換效率中占有重要地位。

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    責(zé)任編輯:蔣桂云

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