PL技術以其無損、快速的特點，為研究者們探測硅片體內(nèi)的結構提供了豐富的信息。比如，前文提到的在2011年以前晶體硅生長技術研究方向為大晶粒的研究誤區(qū)，很大程度上是因為當時業(yè)內(nèi)缺乏PL這類快速的無損檢測技術所造成的。如何去量化各種缺陷，建立一種類似少子壽命的硅片質(zhì)量評價指標，是相關研究者們一直努力的方向。筆者認為，需要充分結合電池技術的貢獻，考慮吸雜和鈍化對不同缺陷弱化作用，來給予各種缺陷一個綜合的評價指標。

公式(2)

公式(2)中，xi代表某個種類的缺陷(或復合中心)，Ri代表考慮了電池吸雜和鈍化后的缺陷復合能力權重，Ci代表某個種類缺陷的數(shù)量，Defect_index代表自定義的缺陷因子，是無量綱值。因為電池工藝的變化，公式(2)中的各個參數(shù)也可能會相應進行調(diào)整，以達到評價因子與電池效率(特別是Uoc)之間的最佳關聯(lián)關系。

圖(4)相同200片硅片制備成電池的轉(zhuǎn)換效率分別與裸硅片少子壽命(a)和PL缺陷密度值(b)的關系圖

筆者曾對200片硅片的裸片少子壽命和PL缺陷因子進行了檢測，并制備成電池測試了電池效率，其對比結果如圖(4)所示。相比裸片少子壽命，從PL圖片中提煉出的缺陷密度值能更好地關聯(lián)電池效率。

3.2 硅片的晶向檢測技術

表(2)各種晶向檢測技術特征的歸納比較不同于單晶硅片單一的<100>晶向，多晶硅片的晶向是雜亂無章的。但研究者們對晶向與晶體缺陷生長之間關系的研究從來沒有停止過，F(xiàn)ujiwara和Nakajima[13]曾報道了通過控制<112>和<110>晶向能有效調(diào)控晶體生長初始階段的微結構。但長期以來，受制于晶向檢測技術的限制，該方面的研究工作很難系統(tǒng)開展起來。

表(2)匯總歸納了幾種已有的晶向檢測技術及其特征，X射線衍射、中子衍射、選區(qū)電子衍射均因檢測區(qū)域太小或受系統(tǒng)消光規(guī)律的限制，很難應用于晶向隨機且樣品尺寸較大的多晶硅片晶向檢測，背散射衍射技術雖然能觀察幾個平方厘米的晶向分布，但制樣復雜，難以推廣應用。

FraunhoferTHM和IISB研究所在2014年推出了一種勞埃法的X射線衍射技術，能對大尺寸的多晶硅片進行晶粒分布面掃描，是該探測領域的一大突破，但該技術存在檢測時間長(2~4h/pc)的缺點。最后一種光學反射方法是天合光能自主研發(fā)的可做晶向面掃的技術，對比已有的X射線衍射和背散射電子衍射等，該方法具有耗時短、樣品處理簡單、測試面積大等優(yōu)點，非常適用于工業(yè)級的多晶硅晶向分析。

圖(5)是采用該方法針對一張多晶硅片晶向面掃描的結果。所有種類的晶向，按照彼此晶向夾角的差異，被人為地歸并為7個大類，并用不同的顏色標示，各個晶向所占的面積比例得以定量的量化。

圖(5)采用光學反射法測試得到的多晶硅片(10×10 cm)晶向面掃描圖

4. 總結和展望

在科學研究者們的不懈努力下，各種新型的光伏電池結構和制備技術不斷涌現(xiàn)，但無論是能革命硅晶體電池的Perovskite電池，還是CIGS、GaAs等薄膜電池，抑或是大幅減少硅用量的硅薄膜電池，短時間內(nèi)都無法撼動以晶體硅為基體的傳統(tǒng)光伏電池的主流地位，其他電池會因為其高效或柔性等特點應用于特殊場合，作為晶硅電池的補充而長期存在。

對晶體硅這條奔騰不息的主流，其發(fā)展動態(tài)則很難進行預測。四年前，類單晶一度被看好，行業(yè)內(nèi)很少有人預測到類單晶的消失，同樣，也很少有人預測到高效多晶的到來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展受到眾多復雜因素(技術、設備、成本、市場等)的制約。未來晶體硅的發(fā)展方向是單晶、多晶還是類單晶?是P型還是N型?全依賴于晶硅如何與PERC、HIT或IBC等電池結構進行有效匹配，如何能獲得更高功率更強可靠性的組件，以及如何為終端用戶提供更高的發(fā)電量。

但從短期看，有兩點可以確定：(1)高效多晶由于其比類單晶和鑄錠多晶更低的位錯密度，將會持續(xù)有廣闊的市場，其不斷優(yōu)化的工藝，還有進一步提升硅片質(zhì)量的前景;(2)在線多晶硅表征技術和設備的開發(fā)，將為多晶電池和組件制造帶來效益，是科學研究者們努力的方向。