SERIS研究人員開發(fā)出新型多晶硅織構(gòu)技術(shù)以降低反射率
新加坡太陽(yáng)能研究所(SERIS)的科學(xué)家們開發(fā)出一種新型濕化學(xué)方法,能利用金剛石繩鋸技術(shù)切割多晶硅片,并隨后織構(gòu)以降低反射率。
新加坡太陽(yáng)能研究所(SERIS)的科學(xué)家們開發(fā)出一種新型濕化學(xué)方法,能利用金剛石繩鋸技術(shù)切割多晶硅片,并隨后織構(gòu)以降低反射率。
SERIS的科學(xué)家們拿著采用其新型DWS工藝制造的電池和晶片。
新加坡國(guó)立大學(xué)
這一濕化學(xué)法以納米特征尺度刻蝕晶片表面,從而增加了光線反射表面的次數(shù)及被晶片材料吸收的機(jī)會(huì)。該工藝使用專利性化學(xué)品,具有低成本性和可擴(kuò)展性,且極易被集成入電池生產(chǎn)線。
SERIS認(rèn)為,相較于“黑硅”工藝,其新工藝能給生產(chǎn)廠家提供更多的益處。表示他們的技術(shù)“更簡(jiǎn)單、更價(jià)廉,且無(wú)金屬,可以達(dá)到20%以上的電池效率”,有潛力成為被多晶硅太陽(yáng)能電池制造商廣泛使用的主流織構(gòu)技術(shù)。
據(jù)SERIS表示,這一工藝已獲得了幾家一線廠商的認(rèn)可。該機(jī)構(gòu)準(zhǔn)備與這些廠家密切合作,將其擴(kuò)大到大型生產(chǎn)線。
責(zé)任編輯:蔣桂云
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