鈣鈦礦/同質(zhì)結(jié)晶硅串聯(lián)疊層電池效率超22%
前言:價(jià)值何在?
硅基疊層電池技術(shù)一直都是量產(chǎn)商用電池實(shí)現(xiàn)30%甚至35%超高光電轉(zhuǎn)換效率的最重要的方向之一(如果不是唯一方向的話)。理論上講帶寬匹配、疊層界面匹配都沒什么毛病;經(jīng)濟(jì)上講晶體硅襯底沒有敵手。在之前的7月份,兔子介紹過鈣鈦礦/晶硅疊層電池技術(shù)方向的最新進(jìn)展,也就是斯坦福和亞利桑那州立大學(xué)聯(lián)合報(bào)道的23.6%的鈣鈦礦/晶硅四端口疊層電池世界紀(jì)錄。這次兔子通報(bào)的最新進(jìn)展,是澳大利亞國立大學(xué)(Australian National University, ANU)22.5%的工作。
23.6%都有了,22.5%還好意思說什么勁?這里面有重大不同。撿最重要的講,這個(gè)區(qū)別就是澳洲國立的底層晶硅電池用的是n型“同質(zhì)結(jié)“晶硅電池,而之前報(bào)道的斯坦福底層晶硅電池用的是異質(zhì)結(jié),也就是我們通常說的HIT或者SHJ電池。用”同質(zhì)結(jié)“極大程度上解放了頂層鈣鈦礦電池的制備溫度,為進(jìn)一步發(fā)展高效頂層鈣鈦礦電池解決了非常重要的一個(gè)障礙。至少在不遠(yuǎn)的將來,29%的效率是有可能的。
(Wu, Energy & Environmental Science, 2017)
為什么要同質(zhì)結(jié)?
筆者第一次用“同質(zhì)結(jié)”這個(gè)術(shù)語,覺得比較別扭。畢竟絕大部分的晶硅電池不就是擴(kuò)散就是離子注入,被摻雜的材料都是晶體硅,當(dāng)然是同質(zhì)結(jié)。這就跟說“普通人”是“非基因改造人類”差不多。當(dāng)然這里主要是為了跟HIT區(qū)分開來,所以強(qiáng)調(diào)“同質(zhì)”。
其實(shí)同質(zhì)異質(zhì)并不重要,重要的是制備溫度。我們知道鈣鈦礦/晶硅電池的制備順序是先晶硅后鈣鈦礦,這個(gè)溫度耐受性就比較重要了。比如我們知道的最普遍的基于介孔氧化鈦電子傳導(dǎo)層的鈣鈦礦太陽能電池的制備溫度必須要高于400C,在這個(gè)溫度下,HIT電池基本完蛋;事實(shí)上HIT在200C以上就不行了,主要是它的非晶硅層受不了。這就要求鈣鈦礦頂層電池只能采用低溫制備工藝。比如很多主流的PECVD和ALD的工藝都不能使用了。而且一般而言,低溫制備的鈣鈦礦電池的熱穩(wěn)定性都比較差。而熱穩(wěn)定性是目前鈣鈦礦電池需要解決的關(guān)鍵問題之一
晶體硅底層設(shè)計(jì)特點(diǎn)
ANU采用的是屬于n型同質(zhì)結(jié)電池,摻雜通過普遍的硼磷高溫?fù)诫s實(shí)現(xiàn),解決了溫度的問題。然而對于疊層電池,特別是雙端口串聯(lián)疊層電池而言,子電池的開壓極其重要,所以如果不加表面鈍化的話,會完全落了HIT的下風(fēng)。為了解決問題,ANU采用了開孔的局域接觸(Si/Cr/Pd/Ag/ITO)+Al2O3/SiNx鈍化層方案,類似于PERC,使得開壓達(dá)到了尚可接受的0.62V。然而局域接觸(1%)付出的代價(jià)是,填充因子就比較慘淡了!只有72%到74%的樣子。更進(jìn)一步,如果用局域擴(kuò)散PERL的話,或許開壓和填充因子都會有所提升。
SiNx也與一般的標(biāo)準(zhǔn)晶硅電池的不同,折射率達(dá)到了2.8,也就是說硅的含量高得多。這樣的設(shè)計(jì)有更好的光學(xué)折射率匹配,而短波寄生吸收則不是問題,因?yàn)槎滩◣缀醵急烩}鈦礦吸收了。
鈣鈦礦頂層設(shè)計(jì)特點(diǎn)
鈣鈦礦頂層電池使用的是MoOx/Spiro-OMeTAD/Cs_0.07Rb_0.03FA_0.765MA_0.135PbI_2.55Br_0.45/介孔TiOx/高密度TiOx/ITO的結(jié)構(gòu)。改造后的鈣鈦礦層在大尺度上具有更好的均勻性。
Spiro-OMeTAD的寄生吸收比較嚴(yán)重。ANU作者認(rèn)為將它替換為NiOx以后會有更好的光學(xué)性能(跟斯坦福組的思路一致)。節(jié)省下來的2.7mA cm-2的短路電流,實(shí)現(xiàn)電流匹配,反過來就可以用更高開壓的鈣鈦礦材料了。和更高開壓的晶硅底層結(jié)合,作者認(rèn)為基本可以實(shí)現(xiàn)1.97V的串聯(lián)開壓,遠(yuǎn)超現(xiàn)在的1.75V。
結(jié)語:未來展望
ANU的作者認(rèn)為,經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)上下兩層和中間接觸層,提升的開壓和填充因子(78%)有望在實(shí)現(xiàn)29%的轉(zhuǎn)化效率。
兔子思考的是,如果開壓和填充因子的矛盾如此難以調(diào)和,那么TopCON,亦或是選擇載流子接觸類型的晶體硅底層是不是更好的方案?
兔子再思考的是,晶硅疊層的技術(shù)線路,對于晶硅本身的p型、n型之爭,會有什么樣的影響?
一旦解放了溫度這個(gè)限制,應(yīng)該是開拓了很多設(shè)計(jì)的思路吧?
責(zé)任編輯:蔣桂云
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