阿特斯王栩生：單多晶市場份額最終由市場決定

2017-11-23 14:38:20 中國能源網(wǎng)　點擊量：評論 (0)

[導語]：隨著第二批設計了單晶組件的領跑者項目無法并網(wǎng)而減少了需求，第三批領跑者計劃項目技術指標不再特別照顧單晶。2017年三季度末以來已經看到單晶硅片、電池、組件全產業(yè)鏈出現(xiàn)需求急劇下滑，價格下調仍未

[導語]：隨著第二批設計了單晶組件的領跑者項目無法并網(wǎng)而減少了需求，第三批領跑者計劃項目技術指標不再特別照顧單晶。2017年三季度末以來已經看到單晶硅片、電池、組件全產業(yè)鏈出現(xiàn)需求急劇下滑，價格下調仍未見市場回暖。而多晶系列全線開足產能，以合理價格和高性價比滿足了旺盛的市場需求。

“一上午的時間不夠，都快過飯點兒了”，上周末，在徐州舉辦的第十三屆中國太陽級硅及光伏發(fā)電研討會“黑硅技術與應用”論壇上，主持人保利協(xié)鑫切片事業(yè)部副總裁金善明不禁感慨。在短短的半天時間內，20余位業(yè)內頂尖專家、企業(yè)技術負責人就金剛線和黑硅技術分別作主旨報告，多晶性價比的大幅提升成為嘉賓討論最多的話題。

單多晶回到相同起跑“線”

好似黑硅的孿生兄弟，多晶金剛線推廣速度成為黑硅論壇上的熱門議題。

“金剛線切割相對于砂線切割，具有切割速度快、損耗低、環(huán)保等優(yōu)點，”作為國內金剛線生產領軍企業(yè)，岱勒新材鐘建明總監(jiān)表示，“單晶金剛線切片已經廣泛應用，而今年體量更大的多晶金剛線推廣速度遠超預期。以往單晶全部使用金剛線切割也沒有多大的需求量，現(xiàn)在多晶也轉金剛線切割后，對金剛線的需求是巨量放大，預計2018年全行業(yè)多晶用金剛線切割占90%以上，主要是上半年才改完”。

金剛線一直被認為是單晶的“殺手锏”，2016年，單晶率先推廣金剛線切割，市場份額增長。而隨著保利協(xié)鑫等多晶廠商逐步克服金剛線切割機臺改造難題，金剛線切割將迎來多晶時代。

“已經改了80%，年底全改完。MB271機型全部改完了，A片切割良率穩(wěn)定在92%以上超過專用機，B5機臺改造難題也已經突破量產在即，改造成本為買專機的十分之一”，金善明自信的說。隨著金剛線在多晶硅片領域的規(guī)模推廣，切片端單晶成本優(yōu)勢不再。

單晶和多晶的差異僅在長晶端。阿特斯技術總監(jiān)王栩生的報告顯示，單晶拉棒的單位硅錠耗電約為75KWh/Kg，單爐月產能約3噸，而多晶鑄錠的單位耗電約為12KWh/Kg，單爐月產能約9噸。長晶環(huán)節(jié)差異是單晶、多晶產品成本差異的主要因素，而且拉棒工藝特征決定很難再降低電耗。

“未來降本還是靠金剛線”，金善明認為，“對保利協(xié)鑫來說，金剛線技術降本作用仍未完全釋放。全部產線改完、切片速度提高、單刀線耗降低、產品良率提高后，硅片成本會再大幅降低。當前金剛線供不應求，價格偏高，優(yōu)質產品比例低、供貨廠家分散。希望未來可以帶動上游相關優(yōu)質企業(yè)共同發(fā)展，推動金剛線細線化，降低金剛線價格并提升質量。”

資料顯示，金剛線成本占據(jù)硅片總成本的17%，是除了多晶硅料外的第二大成本貢獻點。未來硅片成本的下降取決于于線徑和硅片厚度的降低。

“隨著多晶鑄錠晶體硬質點的減少，金剛線強度的增加，單多晶切割將共同邁向細線化”，鐘建明在會上公布了岱勒新材金剛線細線化路線圖：2017年單晶主流線徑65μm，多晶70μm;2018年單晶60μm，多晶65μm，到2020年，單多晶均可以用50μm的金剛線。

成熟黑硅技術再次提升多晶性價比

據(jù)統(tǒng)計，2017年底國內濕法黑硅設備已經超過100臺，產能超過10吉瓦。前幾年高效多晶技術的主攻方向是圍繞晶體結構進行體材料提效，近一年則是以黑硅技術為代表的硅片表面提效。

“切片環(huán)節(jié)主要解決的是降本問題，而配套的黑硅技術則在降本、提效方面都有提升空間。”金善明表示，保利協(xié)鑫第二代黑硅片加工成本可降低40%。預計到明年一季度大規(guī)模量產后，可以將黑硅加工成本控制在0.1元/片，功率增益提升至5瓦。按照當前的組件價格計算，黑硅組件有0.05元/瓦的增益，而成本只上升了0.02元/瓦左右。

黑硅制絨之前，普及金剛線切割的多晶硅片已經降本0.5-0.8元/片，而且，黑硅制絨后的多晶硅片可以直接上電池線，替代了傳統(tǒng)酸制絨環(huán)節(jié)。

王栩生同時認為，黑硅技術能夠與高效PERC技術高度匹配，經驗證，黑硅+PERC可以提效1.2%-1.5%，實現(xiàn)“1+1>2”的效果。“而且，阿特斯?jié)穹ê诠杞M件有更好的弱光特性，更低的組件表面溫度，更高的歸一化發(fā)電量”，王栩生說。

“顏值問題將也不再是多晶組件的困擾，”上海交通大學莊宇峰博士在報告中表示，濕法黑硅技術已經完全成熟，而且可在不同晶面上實現(xiàn)同樣的微、納米絨面，消除晶界，解決電池片的色差問題，基本實現(xiàn)外觀單晶化，而且結合PERC工藝，電池性能進一步提升。

針對黑硅技術提效是否有瓶頸問題，蘇州大學教授蘇曉東認為，常規(guī)絨面反射率24%，濕法黑硅絨面反射率16-18%，以20%內光電效率計算，未來提升1.2-1.6%可能性很大。

“多晶性價比優(yōu)勢將再擴大，單多晶市場份額最終也將會由市場來決定，而不再是政策”，王栩生說。隨著第二批設計了單晶組件的領跑者項目無法并網(wǎng)而減少了需求，第三批領跑者計劃項目技術指標不再特別照顧單晶。2017年三季度末以來已經看到單晶硅片、電池、組件全產業(yè)鏈出現(xiàn)需求急劇下滑，價格下調仍未見市場回暖。而多晶系列全線開足產能，以合理價格和高性價比滿足了旺盛的市場需求。