合肥研究院銅基薄膜太陽能電池材料缺陷研究獲進展
銅鋅錫硒(CZTSe)的組成元素在地球中儲量豐富且無毒,通過少量硫取代硒,其帶隙可以實現(xiàn)在1 0-1 5eV之間調(diào)節(jié),是具有優(yōu)勢的低成本薄膜太陽能電池材料。目前,CZTSe最高效率只有12 6%,遠低于其姊妹化合物銅銦鎵硒
銅鋅錫硒(CZTSe)的組成元素在地球中儲量豐富且無毒,通過少量硫取代硒,其帶隙可以實現(xiàn)在1.0-1.5eV之間調(diào)節(jié),是具有優(yōu)勢的低成本薄膜太陽能電池材料。目前,CZTSe最高效率只有12.6%,遠低于其姊妹化合物銅銦鎵硒(CIGS)的22.6%。實驗研究表明,Na摻雜可以提高CZTSe材料中的載流子(空穴)濃度,增強p型電導(dǎo),進而提高電池效率。但目前摻雜對其影響機理尚不明確。
據(jù)此,中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院固體物理研究所曾雉課題組對CZTSe材料中雜質(zhì)和缺陷的性質(zhì)進行了深入的研究。研究組利用第一性原理計算出Na相關(guān)缺陷的形成能、電荷轉(zhuǎn)移能級和遷移路徑。研究結(jié)果表明,在CZTSe中除了NaSn外,其它與Na相關(guān)的缺陷均為淺施主或受主。其中,NaZn形成能很低,可以在材料中大量存在,因此會和本征的深能級缺陷SnZn競爭,減少電子空穴對的復(fù)合,增強電池的效率;同時,NaZn具有非常淺的電荷轉(zhuǎn)移能級,可以為材料貢獻空穴,增強材料的p型電導(dǎo);Na容易在CZTSe材料中以間隙Na原子和NaCu的形式進行遷移,有助于VCu淺受主的產(chǎn)生。相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表在PhysicalChemistryChemicalPhysics上。
銅基化合物CuGaS2室溫帶隙為2.43eV,接近最佳的中間帶母體材料帶隙,是理想的中間帶太陽能電池材料。近年來,中間帶太陽能電池能夠?qū)崿F(xiàn)三光子吸收過程,理論極限效率高達46%,因此而受到研究人員廣泛關(guān)注。實驗和理論均已對多種摻雜元素(Sn、Fe、Ti、Cr等)的CuGaS2進行研究,但結(jié)果并不清晰。例如,對于Fe摻雜CuGaS2材料,實驗研究發(fā)現(xiàn)隨摻雜量增大光吸收增強,但光電流和電壓卻在減小。為此,課題組利用優(yōu)化的雜化密度泛函從缺陷物理的角度進行Sn摻雜CuGaS2中的缺陷問題研究。研究發(fā)現(xiàn),CuGaS2中的SnGa是一個雙極的陷阱,輻射性復(fù)合與激發(fā)的可能性相等,因此會限制載流子的壽命,亦即光電流大小。另外,SnGa施主會誘導(dǎo)CuGa受主的自發(fā)形成,兩者電荷補償,將費米能級釘扎在EV+1.4eV處。此時,離化的SnGa+和CuGa-,2–缺陷限制了可利用光的范圍。該研究從理論上解釋了目前實驗上觀測到的現(xiàn)象,為未來研究并理解雜質(zhì)中間帶材料的性質(zhì)提供了新思路。相關(guān)研究工作發(fā)表在PhysicalReviewB上。
研究工作得到了國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973計劃)、國家留學基金委及合肥超算中心的資助與支持。
圖1.CZTSe中與Na相關(guān)缺陷的形成能隨費米能級的變化(a);Na的遷移路徑(b)。
圖2.CuGaS2中SnGa和CuGa的形成能隨費米能級的變化曲線。箭頭指示絕熱電荷轉(zhuǎn)移能級所在位置(a);CuGaS2中SnGa0、SnGa-和SnGa+在子帶隙能量區(qū)間的介電函數(shù)的虛部(b)。
責任編輯:lixin
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