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  • 電力電子學(xué)專業(yè)職稱論文

    2018-05-03 11:52:49 大云網(wǎng)  點擊量: 評論 (0)
    文章回顧電力電子技術(shù)的發(fā)展,闡述了電力電子技術(shù)發(fā)展的趨勢,論述了電力電子技術(shù)的創(chuàng)新和器件開發(fā)應(yīng)用,將對我國工業(yè)領(lǐng)域形成巨大的生產(chǎn)力,以此推動國民經(jīng)濟高速高效可持續(xù)發(fā)展。

    摘要:文章回顧電力電子技術(shù)的發(fā)展,闡述了電力電子技術(shù)發(fā)展的趨勢,論述了電力電子技術(shù)的創(chuàng)新和器件開發(fā)應(yīng)用,將對我國工業(yè)領(lǐng)域形成巨大的生產(chǎn)力,以此推動國民經(jīng)濟高速高效可持續(xù)發(fā)展。

    關(guān)鍵詞:發(fā)展趨勢,技術(shù)創(chuàng)新,器件開發(fā),應(yīng)用推廣

    1概述

    自本世紀(jì)五十年代未第一只晶閘管問世以來,電力電子技術(shù)開始登上現(xiàn)代電氣傳動技術(shù)舞臺,以此為基礎(chǔ)開發(fā)的可控硅整流裝置,是電氣傳動領(lǐng)域的一次革命,使電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)變流機組和靜止離子變流器進(jìn)入由電力電子器件構(gòu)成的變流器時代,這標(biāo)志著電力電子的誕生。進(jìn)入70年代晶閘管開始形成由低電壓小電流到高電壓大電流的系列產(chǎn)品,普通晶閘管不能自關(guān)斷的半控型器件,被稱為第一代電力電子器件。隨著電力電子技術(shù)理論研究和制造工藝水平的不斷提高,電力電子器件在容易和類型等方面得到了很大發(fā)展,是電力電子技術(shù)的又一次飛躍,先后研制出GTR.GTO,功率MOSFET等自關(guān)斷全控型第二代電力電子器件。而以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的第三代電力電子器件,開始向大容易高頻率、響應(yīng)快、低損耗方向發(fā)展。而進(jìn)入90年代電力電子器件正朝著復(fù)臺化、標(biāo)準(zhǔn)模塊化、智能化、功率集成的方向發(fā)展,以此為基礎(chǔ)形成一條以電力電子技術(shù)理論研究,器件開發(fā)研制,應(yīng)用滲透性,在國際上電力電子技術(shù)是競爭最激烈的高新技術(shù)領(lǐng)域。

    2電力電子器發(fā)展回顧

    整流管是電力電子器件中結(jié)構(gòu)最簡單,應(yīng)用最廣泛的一種器件。目前已形成普通型,快恢復(fù)型和肖特基型三大系列產(chǎn)品,電力整流管對改善各種電力電子電路的性能,降低電路損耗和提高電流使用效率等方面都具有非常重要的作用。自1958年美國通用電氣GE公司研制出第一個工業(yè)用普通晶閘管開始,其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的改革為新器件開發(fā)研制奠定了基礎(chǔ),在以后的十年間開發(fā)研制出雙向,逆變、逆導(dǎo)、非對稱晶閘管,至今晶閘管系列產(chǎn)品仍有較為廣泛的市場。

    1964年在美國第一次試制成功了0.5kV/0.01kA的可關(guān)斷的GTO至今,目前以達(dá)到9kV/0.25kA/0.8kHz的可關(guān)斷的GTO至今,目前以達(dá)到9kV/2.5kA/0.8kHZ及6kV/6kA/1kHZ的水平,在當(dāng)前各種自關(guān)斷器件中GTO容量量最大,但其工作頻率最低,但其在大功率電力牽引驅(qū)動中有明顯的優(yōu)勢,因此它在中壓、大客量領(lǐng)域中占有一席之地。70年代研制出GTR系列產(chǎn)品,其額定值已達(dá)1.8kV/0.8kA/2kHZ,0.6kV/0.003kA/100kHZ,它具有組成的電路靈活成熟,開關(guān)損耗小、開關(guān)時間短等特點,在中等容量、中等頻率的電路中應(yīng)用廣泛,而作為高性能,大容量的第三代絕緣柵型雙極性晶體管IGBT,因其具有電壓型控制,輸入阻抗大、驅(qū)動功率小,開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點,其有著廣闊的發(fā)展前景。而IGCT是最近發(fā)展起來的新型器件,它是在GTO基礎(chǔ)上發(fā)展起來的器件,稱為集成門極換流晶閘管,也有人稱之為發(fā)射極關(guān)斷晶閘管,它的瞬時開關(guān)頻率可達(dá)20kHZ,關(guān)斷時間為1μs,dildt4kA/ms,du/dt10-20kV/ms,交流阻斷電壓6kV,直流阻斷電壓3.9kV,開關(guān)時間<2ks,導(dǎo)通壓降3600A時,2.8V,開關(guān)頻率>1000Hz。

    3電力電子器件發(fā)展趨勢

    進(jìn)入90年代電力電子器件的研究和開發(fā),已進(jìn)入高頻化,標(biāo)準(zhǔn)模塊化,集成化和智能時代。從理論分析和實驗證明電氣產(chǎn)品的體積與重量的縮小與供電頻率的平方根成反比,也就說,當(dāng)我們將50Hz的標(biāo)準(zhǔn)二頻大幅的提高之后,使用這樣工頻的電氣設(shè)備的體積與重量就能大大縮小,使電氣設(shè)備制造節(jié)約材料,運行時節(jié)電就更加明顯,設(shè)備的系統(tǒng)性能亦大為改善,尤其是對航天工業(yè)其意義十分深遠(yuǎn)的。故電力電子器件的高頻化是今后電力電子技術(shù)創(chuàng)新的主導(dǎo)方向,而硬件結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)模塊是器件發(fā)展的必然趨勢,目前先進(jìn)的模塊,已經(jīng)包括開關(guān)元件和與其反向并聯(lián)的續(xù)流二極管在內(nèi)及驅(qū)動保護(hù)電路多個單元,并都以標(biāo)準(zhǔn)化和生產(chǎn)出系列產(chǎn)品,并且可以在一致性與可靠性上達(dá)到極高的水平。目前世界上許多大公司已開發(fā)出IPM智能化功率模塊,如日本三菱、東芝及美國的國際整流器公司已有成熟的產(chǎn)品推出。日本新電元公司的IPM智能化功率模塊的主要特點是:

    3.1它內(nèi)部集成了功率芯片,檢測電路及驅(qū)動電路,使主電路的結(jié)構(gòu)為最簡。

    3.2其功率芯片采用的是開關(guān)速度高,驅(qū)動電流小的IGBT,且自帶電流傳感器,可以高效地檢測出過電流和短路電流,給功率芯片以安全的保護(hù)。

    3.3在內(nèi)部配線上將電源電路和驅(qū)動電路的配線長度控制到最短,從而很好地解決了浪涌電壓及噪聲影響誤動作等問題。

    3.4自帶可靠的安全保護(hù)措施,當(dāng)故障發(fā)生時能及時關(guān)斷功率器件并發(fā)出故障信號,對芯片實施雙重保護(hù),以保證其運行的可靠性。

    4 電力電子技術(shù)創(chuàng)新98年未朱基總理明確指示,今后必須加快國家創(chuàng)新體系的建設(shè),因此可以肯定的說,在21世紀(jì)初國家發(fā)展中,技術(shù)創(chuàng)新將要變成企業(yè)工作的主導(dǎo)內(nèi)容,而發(fā)展與建立適合中國國情的電氣工業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新機制,通過電力電子技術(shù)長足進(jìn)步推動新型電氣工業(yè)不斷升級和進(jìn)步進(jìn)而走向世界。

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    責(zé)任編輯:電力交易小郭

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