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  • 淺談電氣自動(dòng)化在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

    2018-09-13 16:35:10 畢業(yè)論文網(wǎng)  點(diǎn)擊量: 評(píng)論 (0)
    本文針對(duì)全控型電力電子開(kāi)關(guān)、變換器電路、交流調(diào)速控制、通用變頻器、單片機(jī)、集成電路及工業(yè)控制計(jì)算機(jī)的發(fā)展幾方面論述了電氣自動(dòng)化在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用。

    摘 要:本文針對(duì)全控型電力電子開(kāi)關(guān)、變換器電路、交流調(diào)速控制、通用變頻器、單片機(jī)、集成電路及工業(yè)控制計(jì)算機(jī)的發(fā)展幾方面論述了電氣自動(dòng)化在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用。

    關(guān)鍵詞:自動(dòng)化 變換器 交流 工業(yè)控制

    電氣自動(dòng)化專業(yè)在我國(guó)最早開(kāi)設(shè)于50年代,名稱為工業(yè)企業(yè)電氣自動(dòng)化。據(jù)教育部最新公布的本科專業(yè)設(shè)置目錄,它屬于工科電氣信息類。新名稱為電氣二程及其自動(dòng)化或自動(dòng)化。

    隨著電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)溝迅猛發(fā)展,原有的電力傳動(dòng)(電子拖動(dòng))控制的概念已經(jīng)不能充分概抓現(xiàn)代生產(chǎn)自動(dòng)化系流中承擔(dān)第一線任務(wù)的全部控制設(shè)備。它的研究對(duì)象已經(jīng)發(fā)展為運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),下面僅對(duì)有關(guān)電氣自動(dòng)化技術(shù)的新發(fā)展作一些介紹。

    1 全控型電力電子開(kāi)關(guān)逐步取代半控型晶閘管

    50年代末出現(xiàn)的晶閘管標(biāo)志著運(yùn)動(dòng)控制的新紀(jì)元。它是第一代電子電力器件,在我國(guó)至今仍廣泛用于直流和交流傳動(dòng)控制系統(tǒng)。由于目前所能生產(chǎn)的電流/電壓定額和開(kāi)關(guān)時(shí)間的不同,各種器件各有其應(yīng)用范圍。

    GTR的二次擊穿現(xiàn)象以及其安全工作區(qū)受各項(xiàng)參數(shù)影響而變化和熱容量小、過(guò)流能力低等問(wèn)題,使得人們把主要精力放在根據(jù)不同的特性設(shè)計(jì)出合適的保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路上,這也使得電路比較復(fù)雜,難以掌握。

    GTO是一種用門極可關(guān)斷的高壓器件,它的主要缺點(diǎn)是關(guān)斷增益低,一般為4~5,這就需要一個(gè)十分龐大的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路,且它的通態(tài)壓降比普通晶閘管高,約為2V~4.5V,開(kāi)通di/dt和關(guān)斷dv/dt也是限制GTO推廣運(yùn)用的另一原因,前者約為500A/μs,后者約為500V/μs,這就需要一個(gè)龐大的吸收電路。

    由于GTR、GTO等雙極性全控性器件必須要有較大的控制電流,因而使門極控制電路非常龐大,從而促進(jìn)廠新一代具有高輸人阻抗的MOS結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件的一切。它的開(kāi)關(guān)時(shí)間很快,安全工作區(qū)十分穩(wěn)定,但是P一MOSFET的通態(tài)電壓降隨著額定電壓的增加而成倍增大,這就給制造高壓P一MOSFET造成了很大困難。

    IGBT是P一MOSFET工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的產(chǎn)物,它兼有MOSFET高輸人阻抗、高速特性和GTR大電流密度特性的混合器件。其開(kāi)關(guān)速度比P一MOSFET低,但比GTR快;其通態(tài)電壓降與GTR相擬約為1.5V一3.5V,比P一MOSFET小得多,其關(guān)斷存儲(chǔ)時(shí)間和電流卜降時(shí)間為別為0.2μs一0.4μs和0.2μs一1.5μs,因而有較高的工作頻率,它具有寬而穩(wěn)定的安個(gè)工作區(qū),較高的效率,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。

    MOS控制晶閘管(MCT)是一種在它的單胞內(nèi)集成了MOSFET的品閘管,利用MOS門來(lái)控制品閘管的開(kāi)通和關(guān)斷,具有晶閘管的低通態(tài)電壓降,但其工作電流密度遠(yuǎn)高IGBT和GTR,在理論上可制成幾千伏的阻斷電壓和幾十千赫的開(kāi)關(guān)頻率,且其關(guān)斷增益極高。

    IGBT和MGT這一類復(fù)合型電力電子器件可以稱為第三代器件。在模塊化和復(fù)合化思路的基礎(chǔ)上,其發(fā)展便是功率集成電路PIC(Power,lntegrated Circute),在PIC中,不僅主回路的器件,而月驅(qū)動(dòng)電路、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)、電流檢測(cè)甚至溫度自動(dòng)控制等作用都集成到一起,形成一個(gè)整體,這可以算作第四代電力電子器件。

    2 變換器電路從低頻向高頻方向發(fā)展

    隨著電力電子器件的更新,由它組成的變換器電路也必然要換代。當(dāng)電力電子器件進(jìn)人第二代后,更多早采用PWM變換器了、采用PWM方式后,提高了功率因數(shù),減少了高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響,解決了電動(dòng)機(jī)在低頻區(qū)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)問(wèn)題。

    但是PWM逆變器中的電壓、電流的諧波分量產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)作用在定轉(zhuǎn)子上,使電機(jī)繞組產(chǎn)生振動(dòng)而發(fā)出噪聲。開(kāi)關(guān)損耗的存在限制了逆變器工作頻率的提高。

    1986年美國(guó)威斯康星大學(xué)Divan教授提出諧振式直流環(huán)逆變器。傳統(tǒng)的逆變器是掛在穩(wěn)定的直流母線上,電力電子器件是在高電壓下進(jìn)行轉(zhuǎn)換的‘硬開(kāi)關(guān)’,其開(kāi)關(guān)損耗較大,限制了開(kāi)關(guān)在頻率上的提高。這樣,可以使逆器尺寸減少,降低成本,還可能在較高功率上使逆變器集成化。因此,諧振式直流逆變器電路極有發(fā)展前途。

    3 交流調(diào)速控制理論日漸成熟

    矢量控制的基本思想是仿照直流電動(dòng)機(jī)的控制方式,把定子電流的磁場(chǎng)分量和轉(zhuǎn)矩分量解禍開(kāi)來(lái),分別加以控制。它需要檢測(cè)轉(zhuǎn)子磁鏈的方向,且其性能易受轉(zhuǎn)子參數(shù),特別是轉(zhuǎn)子回路時(shí)間常數(shù)的影響。加上矢量旋轉(zhuǎn)變換的復(fù)雜性,使得實(shí)際的控制效果難于達(dá)到分析的結(jié)果。

    大致來(lái)說(shuō),直接轉(zhuǎn)矩控制,用空間矢量的分析方法,直接在定子坐標(biāo)系下分析計(jì)算與控制電流電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)矩。它省掉了復(fù)雜的矢量變換與電動(dòng)數(shù)學(xué)模型的簡(jiǎn)化處理,大大減少了矢量控制中控制性能參數(shù)易受參數(shù)變化影響的問(wèn)題,沒(méi)有通常的PWM信號(hào)發(fā)生器,其控制思想新穎,控制結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,控制手段直接,信號(hào)處理物理概念明確,轉(zhuǎn)矩響應(yīng)迅速,限制在一拍之內(nèi),且無(wú)超調(diào),是一種具有高靜動(dòng)態(tài)性能的新型交流調(diào)速方法。

    4 通用變頻器開(kāi)始大量投入實(shí)用

    一般把系列化、批員化、占市場(chǎng)量最大的中小功率如400KVA以下的變頻器稱為通用變頻器。從技術(shù)發(fā)展看,電力半導(dǎo)體器件有GTO、GTR、IGBT,但以后兩種為主,尤以IGBT為發(fā)展趨勢(shì):支頻器的可靠性、可維修性、可操作性即所謂的RAS(Reliabiliry,Availability,Servicebility)功能也由于采用單片機(jī)控制動(dòng)技術(shù)而得以提高。

    5 單片機(jī)、集成電路及工業(yè)控制計(jì)算機(jī)的發(fā)展

    以MCS—51代表的8位機(jī)雖然仍占主導(dǎo)地位,但功能簡(jiǎn)單,指令集短小,可靠性高,保密性高,適于大批量生產(chǎn)的PIC系列單片機(jī)及GMS97C(二系列單片機(jī)等正在推廣,而且單片機(jī)的應(yīng)用范圍已開(kāi)始擴(kuò)展至智能儀器儀表或不太復(fù)雜的工業(yè)控制場(chǎng)合以充分發(fā)揮單片機(jī)的優(yōu)勢(shì)另外,單片機(jī)的開(kāi)發(fā)手段也更加豐富,除用匯編語(yǔ)言外,更多地是采用模塊化的C語(yǔ)言、PL/M語(yǔ)言。

    在集成電路方面,需要重點(diǎn)說(shuō)明的是集成模擬乘法器和集成鎖相環(huán)路及集成時(shí)基電路在自動(dòng)控制系統(tǒng)中運(yùn)用很廠。在電機(jī)控制方面,還有專用于產(chǎn)生PWM控制信號(hào)的HEF4752、TL494、SLE4520和MA818等應(yīng)用也相當(dāng)廣泛。

    在邏輯電路方面,值得注意的是用專用芯片(ASIC)進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)。ASIC(Appilca-tion Specificl,Int egrated Circuit)中有編程邏輯陣列PLD(Programmable Logic Device)。這些特點(diǎn)使得GAL在降低系統(tǒng)造價(jià),減少產(chǎn)品體積和功耗,提高可靠性和穩(wěn)定性及簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì),增強(qiáng)應(yīng)用的保密性方面有廣闊的發(fā)展產(chǎn)景,特別適合新產(chǎn)品研制及DMA控制和高速圖表處理,其上述交流的控制最終用工業(yè)控制計(jì)算機(jī)完成。

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    責(zé)任編輯:電力交易小郭

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